254nm紫外线灯UV-SN25

光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。分辨率是对光刻工艺加工可以达到的纳米级细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有高压汞灯，准分子激光器等。LCD制作工厂，NIKON曝光设备点灯用12KW电源。254nm紫外线灯UV-SN25

ORC制作所自1968年创业已来，立足于专门制造「光」，贡献于多个领域。用常年培育的技术力，满足客户需求，取得客户信赖。以光技术应用，先进的紫外线灯为支柱，面向电路板，液晶显示产业，半导体光刻设备，检查设备展开。

紫外线灯种类包含：超高压UV灯，高压UV灯，低压UV灯，金属卤化物灯，短弧灯等晶圆制造工程用UV照射装置・点灯用定电力／定照度电源，光照度计・光量计。

品质：1997年 6月7日 取得 ISO-9001认证(BVJC) 

环境：1998年12月4日 取得 ISO-14001认证(BVJC)  韩国原装进口紫外线灯CR040U高压汞灯制造商ORC制作所。

小型・軽量で、受光部と本体が一体になったハンディタイプの計測器です。UV露光装置とUVコンベヤーのいずれにも対応した測定器です。露光装置、UVコンベヤー等の照度と光量の管理ができます。小型、軽量、薄型な、ハンディタイプです。機種は、用途に合わせてUV-351（UV-SD35相当）、UV-351-25（UV-SD25相当）、UV-351-42（UV-SD42相当）からお選びいただけます。光量測定、照度測定、ピーク照度測定など、各種の測定モードを選択できます。メタル・ボディで熱に強く、堅牢な構造です。

光刻机（lithography）又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。生产集成电路的简要步骤：利用模版去除晶圆表面的保护膜。将晶圆浸泡在腐化剂中，失去保护膜的部分被腐蚀掉后形成电路。用纯水洗净残留在晶圆表面的杂质。其中曝光机就是利用紫外线通过模版去除晶圆表面的保护膜的设备。一片晶圆可以制作数十个集成电路，根据模版曝光机分为两种：模版和晶圆大小一样，模版不动。模版和集成电路大小一样，模版随曝光机聚焦部分移动。其中模版随曝光机移动的方式，模版相对曝光机中心位置不变，始终利用聚焦镜头中心部分能得到更高的精度。成为的主流。发出紫外线的灯种类为高压汞灯，低压汞灯，金属卤素灯。

产品化无NOｘ产生的UV Lamp『智能准分子灯』作为臭氧发生动力（灯+电源）模块.臭氧存在与大气中，起到净化大气作用。大气中的氧气和太阳光中的紫外线反应或者雷的放电现象，自然生成。阳光充裕的海岸或森林，存在程度、制作出清爽的空气。臭氧的氧原子[O]3个结合后产物，化学式是[O3]。臭氧的氧原子比氧气原子多出1个的[O3]状态、余下的氧原子[O]给其它物质，引发返回稳定状态的氧分子现象。利用自然界发生的此性质，积极制作臭氧，进行脱臭，除菌，杀菌。高压汞灯点灯时间要多久？韩国原装进口紫外线灯CR200M

紫外线能量单位是毫焦mj？254nm紫外线灯UV-SN25

扫描步进投影曝光（Scanning-Stepping Project Printing）。90年代末至今，用于≤0.18μm工艺。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光区域（Exposure Field）26×33mm。优点：增大了每次曝光的视场；提供硅片表面不平整的补偿；提高整个硅片的尺寸均匀性。但是，同时因为需要反向运动，增加了机械系统的精度要求。d. 高精度双面：主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。高精度特制的翻版机构、双视场CCD显微显示系统、多点光源曝光头、真空管路系统、气路系统、直联式无油真空泵、防震工作台等组成。适用于φ100mm以下，厚度5mm以下的各种基片的对准曝光。254nm紫外线灯UV-SN25

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